電場(chǎng)感應下面(Field-Induced Model, FIM)

此FIM模型的靜電放電發(fā)生是因電場(chǎng)感應而起的，當IC因輸送帶或其他因素而經(jīng)過(guò)一電場(chǎng)時(shí)，其相對極性的電荷可能會(huì )自一些IC腳而排放掉，等IC通過(guò)電場(chǎng)之后，IC本身便累積了靜電荷，此靜電荷會(huì )以類(lèi)似CDM的模式放電出來(lái)。有關(guān)FIM的放電模型早在雙載子(bipolar)電晶體時(shí)代就已被發(fā)現，現今已有工業(yè)測試標準。在國際電子工業(yè)標準(EIA/JEDEC STANDARD) 中，亦已對此電場(chǎng)感應模型訂定測試規范 (JESD22-C101)，詳細情形請參閱該工業(yè)標準。

Charged-Device Mode靜電放電可能發(fā)生的情形。IC自IC管中滑出后，帶電的IC腳接觸接到地面而形成放電現象。

元件充電模型 (Charged-Device Model, CDM)

此放電模式是指IC先因摩擦或其他因素而在IC內部累積了靜電，但在靜電累積的過(guò)程中IC并未被損傷。此帶有靜電的IC在處理過(guò)程中，當其pin去碰觸到接地面時(shí)，IC內部的靜電便會(huì )經(jīng)由pin自IC內部流出來(lái)，而造成了放電的現象。

此種模型的放電時(shí)間更短，僅約幾毫微秒之內，放電現象更難以真實(shí)的被模擬。因為IC內部累積的靜電會(huì )因IC元件本身對地的等效電容而變，IC擺放的角度與位置以及IC所用的包裝型式都會(huì )造成不同的等效電容。由于具有多項變化因素難定，有關(guān)此模型放電的工業(yè)測試標準仍在協(xié)議中，但已有此類(lèi)測試機臺在銷(xiāo)售中。該元件充電模型(CDM) ESD可能發(fā)生的原因及放電的情形顯示于下面圖中。

人體放電模型(2-KV) 與機器放電模型(200V) 放電電流的比較圖在國際電子工業(yè)標準 (EIA/JEDEC STANDARD) 中，亦對此機器放電模型訂定測試規范 (EIA/JESD22-A115-A)，詳細情形請參閱該工業(yè)標準。