環(huán)境試驗目的：考核在不施加電應力的情況下，高溫存儲對產(chǎn)品的影響。有嚴重缺陷的產(chǎn)品處于非平衡態(tài)，是一種不穩定態(tài)，由非平衡態(tài)向平衡態(tài)的過(guò)渡過(guò)程既是誘發(fā)有嚴重缺陷產(chǎn)品失效的過(guò)程，也是促使產(chǎn)品從非穩定態(tài)向穩定態(tài)的過(guò)渡過(guò)程。

這種過(guò)渡一般情況下是物理化學(xué)變化，其速率遵循阿倫尼烏斯公式，隨溫度成指數增加.高溫應力的目的是為了縮短這種變化的時(shí)間，該實(shí)驗又可以視為一項穩定產(chǎn)品性能的工藝。

環(huán)境試驗條件：一般選定一恒定的溫度應力和保持時(shí)間。微電路溫度應力范圍為75℃至400℃，試驗時(shí)間為24h以上。試驗前后被試樣品要在標準試驗環(huán)境中，既溫度為25土10℃、氣壓為86kPa~100kPa的環(huán)境中放置一定時(shí)間。多數的情況下，要求試驗后在規定的時(shí)間內完成終點(diǎn)測試。