四、電源完整性設計策略：

(1)、需要額外關(guān)注PCB過(guò)孔、走線(xiàn)和電源平面的通流能力。當在一個(gè)平面上布置多個(gè)電源時(shí)，需要進(jìn)行電源平面的分割。電源平面的分割方式要簡(jiǎn)潔合理，分割區域的大小要滿(mǎn)足載流能力的要求。

(2)、盡可能使電源平面與地平面成對相鄰出現且電源平面與地平面應盡可能接近，平面之間的介質(zhì)要盡可能薄。為了保證電源平面與地平面具有良好的電容耦合特性，一般將電源平面與地平面距離控制在5mil以?xún)龋灰^(guò)10mil。如果電源平面與地平面無(wú)法相鄰，為了達到較好的耦合效果，需要在電源和地之間額外加入去耦電容，增強電源與地平面之間的電容耦合特性。

(3)、去耦電容的設計：去耦電容的合理使用(電容類(lèi)型、電容數量、電容的布局位置)是電源完整性設計的重要部分。電容的去耦根據其擺放位置的不同可以分為：電源引腳去耦、電源平面去耦。電容的去耦作用是有一定的距離要求的，即去耦半徑。進(jìn)行引腳去耦時(shí)，要盡可能縮短焊盤(pán)和去耦電容之間引線(xiàn)的長(cháng)度，引線(xiàn)過(guò)長(cháng)會(huì )引入額外的寄生電感，從而使得去耦電容總的電感增大。BGA類(lèi)的IC一般都采用平面去耦的方式，其引腳數量眾多，常常在一個(gè)區域內布置幾個(gè)去耦電容給幾個(gè)電源引腳去耦。在去耦電容的布局時(shí)，小容值的靠近IC引腳，大容值的可以距離IC稍遠，各個(gè)規格的去耦電容應該均勻布置在IC四周，以便使IC所在區域各電源等級均勻去耦。電容焊盤(pán)的扇出方式推薦采用多過(guò)孔的方式。

(4)、同步開(kāi)關(guān)噪聲(SSN)的影響：同步開(kāi)關(guān)噪聲(SSN)實(shí)質(zhì)上是當器件處于開(kāi)關(guān)狀態(tài)時(shí)，產(chǎn)生瞬間變化的電流(di / dt)，在經(jīng)過(guò)回流路徑上存在電感時(shí)，形成的交流壓降，從而引起噪聲，其定義為：。SSN一般可以稱(chēng)為地彈和電源彈。在實(shí)際的設計中，SSN是不可能徹底消除的，因為有電源引線(xiàn)存在就一定有SSN。SSN的具體解決方法包括：

1、增加適當的去耦電容，并盡可能靠近芯片供電引腳來(lái)改善芯片周?chē)碾娫淳植客暾浴?/p>

2、在系統設計中，在滿(mǎn)足系統整體性能需求前提下，盡可能使用平緩的驅動(dòng)信號(減緩驅動(dòng)器的上升沿和下降沿時(shí)間)，可以有效抑制SSN。