Nand Flash信號完整性測試，Nand Flash電源完整性測試，Nand Flash時(shí)序測試，Nand Flash時(shí)鐘測試

兩種FLASH具有相同的存儲單元，工作原理也一樣，為了縮短存取時(shí)間并不是對每個(gè)單元進(jìn)行單獨的存取操作，而是對一定數量的存取單元進(jìn)行集體操作， NAND型FLASH各存儲單元之間是串聯(lián)的，而NOR型FLASH各單元之間是并聯(lián)的；為了對全部的存儲單元有效管理，必須對存儲單元進(jìn)行統一編址。
NAND的全部存儲單元分為若干個(gè)塊，每個(gè)塊又分為若干個(gè)頁(yè)，每個(gè)頁(yè)是512byte，就是512個(gè)8位數，就是說(shuō)每個(gè)頁(yè)有512條位線(xiàn)，每條位線(xiàn)下 有8個(gè)存儲單元；那么每頁(yè)存儲的數據正好跟硬盤(pán)的一個(gè)扇區存儲的數據相同，這是設計時(shí)為了方便與磁盤(pán)進(jìn)行數據交換而特意安排的，那么塊就類(lèi)似硬盤(pán)的簇；容 量不同，塊的數量不同，組成塊的頁(yè)的數量也不同。在讀取數據時(shí)，當字線(xiàn)和位線(xiàn)鎖定某個(gè)晶體管時(shí)，該晶體管的控制極不加偏置電壓，其它的7個(gè)都加上偏置電壓 而導通，如果這個(gè)晶體管的浮柵中有電荷就會(huì )導通使位線(xiàn)為低電平，讀出的數就是0，就是1。
NOR的每個(gè)存儲單元以并聯(lián)的方式連接到位線(xiàn)，方便對每一位進(jìn)行隨機存取；具有專(zhuān)用的地址線(xiàn)，可以實(shí)現一次性的直接尋址；縮短了FLASH對處理器指令的執行時(shí)間。

五、性能
1、速度
在寫(xiě)數據和擦除數據時(shí)，NAND由于支持整塊擦寫(xiě)操作，速度比NOR要快得多，兩者相差近千倍；讀取時(shí)，由于NAND要先向芯片發(fā)送地址信息進(jìn)行 尋址才能開(kāi)始讀寫(xiě)數據，而它的地址信息包括塊號、塊內頁(yè)號和頁(yè)內字節號等部分，要順序選擇才能定位到要操作的字節；這樣每進(jìn)行一次數據訪(fǎng)問(wèn)需要經(jīng)過(guò)三次尋 址，至少要三個(gè)時(shí)鐘周期；而NOR型FLASH的操作則是以字或字節為單位進(jìn)行的，直接讀取，讀取數據時(shí)，NOR有明顯優(yōu)勢。
2、容量和成本
NOR型FLASH的每個(gè)存儲單元與位線(xiàn)相連，增加了芯片內位線(xiàn)的數量，不利于存儲密度的提高。在面積和工藝相同的情況下，NAND型FLASH的容量比NOR要大得多，生產(chǎn)成本更低，也更容易生產(chǎn)大容量的芯片。
3、易用性
NAND　FLASH的I/O端口采用復用的數據線(xiàn)和地址線(xiàn)，必須先通過(guò)寄存器串行地進(jìn)行數據存取，各個(gè)產(chǎn)品或廠(chǎng)商對信號的定義不同，增加了應用的難 度；NOR FLASH有專(zhuān)用的地址引腳來(lái)尋址，較容易與其它芯片進(jìn)行連接，還支持本地執行，應用程序可以直接在FLASH內部運行，可以簡(jiǎn)化產(chǎn)品設計。
4、可靠性
NAND FLASH相鄰單元之間較易發(fā)生位翻轉而導致壞塊出現，是隨機分布的，如果想在生產(chǎn)過(guò)程中消除壞塊會(huì )導致成品率太低、性?xún)r(jià)比很差，在出廠(chǎng)前要在高 溫、高壓條件下檢測生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生的壞塊，寫(xiě)入壞塊標記，防止使用時(shí)向壞塊寫(xiě)入數據；但在使用過(guò)程中還難免產(chǎn)生新的壞塊，在使用的時(shí)候要配合 EDC/ECC(錯誤探測/錯誤更正)和BBM(壞塊管理)等軟件措施來(lái)保障數據的可靠性。壞塊管理軟件能夠發(fā)現并更換一個(gè)讀寫(xiě)失敗的區塊，將數據復制到 一個(gè)有效的區塊。
5、耐久性
FLASH由于寫(xiě)入和擦除數據時(shí)會(huì )導致介質(zhì)的氧化降解，導致芯片老化，在這個(gè)方面NOR尤甚，并不適合頻繁地擦寫(xiě)，NAND的擦寫(xiě)次數是100萬(wàn)次，而NOR只有10萬(wàn)次。